ای بر RF MEMS
همانطور كه در بخش 1-1 ذکر شد MEMS از سال های 1970 برای ایجاد سنسورهای فشار، دما، شتابسنج و ابزارهایی از این قبیل ایجاد شد. همچنین سوئیچ های MEMS برای كاربردهای فركانس پایین در نزدیكی سالهای 1980 بوجود آمد. این سوئیچ ها برای رسیدن به یك اتصال كوتاه یا یك اتصال باز در یك خط انتقال یك جابجایی مكانیكی را انجام میدهند. اما در سالهای 1990 – 1991، تحت حمایت DARPA، دكتر لاری لارسون در آزمایشگاه تحقیق هیوز مالیبو، كالیفورنیا، نخستین سوئیچ MEMS (وركتور) را، كه بویژه برای كاربردهای مایكرووی
و طراحی شده بود، ایجاد كرد.
نتایج ابتدایی لارسون بسیار مهم بودند بهطوری كه توجه چند گروه را در دولت ایالات متحده تحریك كرد و تا سال 1995 مركز علمی راكول و تكساز ایناسترومنت هر دو یك سوئیچ RF MEMS ایجاد کردند. سوئیچ راكول یك نوع كانتكت متال به متال و مناسب برای كاربردهای DC-60GHz بود، در حالی که سوئیچ تكساز یك سوئیچ كانتكت خازنی بود كه برای فركانس های 10-120GHz مناسب بود. بحث بعدی تاریخچه این سیستم تا سال 1998، به دانشگاه میشیگان، دانشگاه كالیفورنیا، بركلی، دانشگاه شمال شرقی، آزمایشگاه لینكلن MIT، دانشگاه كلمبیا، شركت آنالوگ دیوایس و چند شركت معروف دیگر مربوط می شود كه به طور فعال ابزار RF MEMS را دنبال می کردند.
RF MEMS در 10 سال گذشته در نتیجه مصارف بازرگانی و نظامی یك رشد متحیركننده را تجربه كرده است. دلیل این امر این است كه پیشرفت های عظیمی در ابزارهای GaAs HEMT (ترازیستورهای با موبیلیتی الكترون بالا) وجود داشته در حالی كه در ترانزیستورهای با تكنولوژی CMOS پیشرفت های نامحسوسی در سوئیچ های نیمه هادی از سال 1985 تا 2000 وجود داشت. در سالهای 1980، فركانس قطع ترانزیستورهای CMOS حدود 500MHz بود و اخیراً حدود 100MHz است. در حالی كه در سال های 1980، فركانس قطع ابزار GaAs HEMT، حدود 10-20GHz بود و حالا بالای 800GHz است. البته فرکانس قطع دیودهای GaAs و Inp p-i-n از 500GHz در سال 1985 به تنها 2000GHz در سال 2001 رسید. به طور واضح یك تكنولوژی جدید نیاز بود تا فركانس قطع سوئیچها را برای كاربردهای كم تلفات به فركانسهای بالاتر ببرد و این بوسیله RF MEMS به دست می آید.
